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[ChosunBiz] [뉴메모리 시대의 암투]④인텔 VS 反인텔..."이재용·손정의 전방위 손잡을 듯…

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작성자 admin   작성일16-11-28   조회4,808회   댓글0건

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[뉴메모리 시대의 암투]④인텔 VS 反인텔..."이재용·손정의 전방위 손잡을 듯"

 

황민규 기자 durchman@chosunbiz.com
입력: 2016.11.28 07:21

 

인공지능(AI), 자율주행, 사물인터넷(IoT) 기술이 4차산업혁명의 새로운 패러다임으로 떠오른 가운데 세계 각국의 글로벌 기업들 간 합종연횡(合從連衡)도 가속화하고 있다. 이중에서도 세계 전자산업의 근간이자 기술적 토대를 쌓아온 반도체 기업과 IT 업체들의 전방위적인 인수합병(M&A), 파트너십이 이어지고 있다.

특히 삼성전자와 ARM을 중심으로 한 ‘반(反)인텔’ 전선이 뚜렷하게 형성되는 모양새다. 삼성전자는 ‘3D 크로스포인트’로 메모리 반도체 시장 점령을 선언한 인텔의 뉴메모리 기술을 극복해야 한다. AI와 IoT를 노리는 ARM은 서버 칩 시장을 장악한 인텔의 철옹성을 넘어야 한다. 두 회사의 이해관계가 일정 부분 맞아떨어지고 있다는 게 업계의 분석이다.

삼성전자와 ARM은 인텔이라는 ‘공공의 적’을 같이 견제하면서 협력을 통해 시너지(상승 효과)를 모색할 것으로 보인다. 과거 안드로이드 운영체제(OS) 확산의 1등 공신이 삼성전자였다는 점에 비춰볼 때 ARM의 구상하는 IoT 생태계를 강화하는 데 삼성전자가 큰 조력자가 될 가능성이 얼마든지 있다. 또 삼성전자 입장에서는 ARM과의 파트너십을 바탕으로 뉴메모리, IoT, 자동차 등 미래 분야의 설계 라이선스를 확보할 경우 먼저 치고 나간 인텔과 퀄컴 등에 대항할 여력이 생긴다. 두 회사의 협력에 관한 큰 그림은 이재용 삼성전자 부회장과 손정의 소프트뱅크 회장이 직접 챙기고 있다는 점에서 더욱 주목된다. 

◆ 뉴메모리 암투 시대, 삼성·ARM 손잡을 듯

소프트뱅크 손정의 회장은 세계 최대 반도체 설계 회사인 ARM를 35조원에 전격 인수한 직후인 지난 9월 이재용 삼성전자 부회장을 찾았다. 두 사람은 서울 삼성전자 서초사옥에서 만나 장시간 사업 협력을 논의했다. 손 회장과 이 부회장의 관계는 돈독한 편이다. 손 회장은 과거 이 부회장을 ‘오랜 친구’라고 언급한 적도 있다. 삼성전자가 ARM으로부터 모바일 애플리케이션프로세서(AP)를 비롯한 다양한 반도체 설계 라이선스를 구매하는 이 회사의 최대 고객사인 만큼 향후 3년 이상을 내다 본 전략적인 논의가 있었을 것으로 추측된다. 
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손정의 소프트뱅크 회장(왼쪽)과 이재용 삼성전자 부회장이 지난 9월 서울 삼성 서초사옥에서 만났다./블룸버그,연합뉴스
▲ 손정의 소프트뱅크 회장(왼쪽)과 이재용 삼성전자 부회장이 지난 9월 서울 삼성 서초사옥에서 만났다./블룸버그,연합뉴스
그동안 모바일 AP 분야를 집중적으로 이뤄졌던 삼성전자와 ARM의 협력이 뉴메모리 분야로 확대될 가능성도 나온다. 삼성전자 입장에서는 기존의 주력 생산 품목인 D램, 낸드플래시 이외에 기하급수적으로 증가할 데이터 트래픽을 감당하는 뉴메모리 분야의 도약이 필요한 상황이다. 

삼성전자의 최대 고객사인 ARM이 삼성전자의 뉴메모리 동맹군 후보가 될 가능성이 높은 것은 이 회사가 지난 수년간 소리소문 없이 메모리 반도체 분야에서도 꾸준히 기술 경쟁력을 강화해왔기 때문이다. ARM은 CPU→D램 →스토리지로 이어지는 이른바 ‘폰 노이만 컴퓨터’ 구조에서 발생하는 데이터 병목현상(Bottleneck) 현상을 극복할 수 있는 대역폭 고도화 기술과 스토리지클래스메모리(SCM) 기술 기반 등을 꾸준히 확보해 왔다. 

특히 ARM이 보유한 비휘발성 메모리(Non-volatile memory: NV램) 기술은 전원이 공급되지 않아도 저장된 정보를 계속 유지한다는 점에서 인텔의 3D 크로스포인트와 맞붙을만한 뉴메모리 기술로 점쳐진다. 설계 구조가 비교적 단순해 집적도를 높여 스토리지클래스메모리(SCM)처럼 고용량화도 가능하며 섭씨 200대 이상의 환경도 버틸 수 있을 만큼 내구성도 강하다.

ARM이 구상하는 NV램 제품은 마그네틱 램(M램), 코릴레이티드 일렉트론 램(Ce램) 등 뉴메모리 기술을 통해 구현된다. M램의 경우 삼성전자, SK하이닉스가 수년전부터 개발을 시도해온 기술로, S램이나 D램보다 용량을 10배 이상 늘릴 수 있고 압도적인 쓰기 속도를 갖추고 있다. 다시쓰기 횟수도 무제한이라는 특징도 갖고 있다. 자기저항메모리(ReRAM)의 일종인 CeRAM의 경우 칩의 설계 구조를 단순화해 생산성을 확보할 수 있다는 장점이 있다. 

최근에는 삼성전자와 ARM이 차세대 메모리 개발 컨소시엄인 'Gen-Z'를 공식 출범시키기도 했다. 인텔을 제외하고 세계 반도체 시장의 대형 기업들이 모두 가입한 이 컨소시엄은 ARM의 아키텍처를 기반으로 인텔의 3D 크로스포인트에 대항할 스토리지클래스메모리(SCM)를 표준화하는 것이 목적이다. (중략)

 

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